ZIP西南交通大学 模拟电子技术课程资料weixin_7406524718.26MB需要积分:1立即下载资源文件列表: 模电.zip 大约有8个文件 ch03.pdf 1.19MB ch04.pdf 2.56MB ch05.pdf 2.45MB ch06-上传.pptx 2.34MB ch07.pptx 3.68MB ch08.pptx 3.13MB ch09.pdf 1.38MB ch10.pptx 4.67MB 资源介绍: 西南交通大学 模拟电子技术课程PPT 1华中科技大学 张林ch04N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道(耗尽型)FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类:4 场效应三极管及其放大电路2华中科技大学 张林ch0423华中科技大学 张林ch044 场效应三极管及其放大电路4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.2 MOSFET基本共源极放大电路4.3 图解分析法4.4 小信号模型分析法4.5 共漏极和共栅极放大电路4.6 MOSFET大信号工作及开关应用4.7 多级放大电路4.9 各种FET的特性及使用注意事项4华中科技大学 张林ch044.1.1 N沟道增强型MOSFET4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET4.1.3 P沟道MOSFET4.1.4 沟道长度调制等几种效应4.1.5 MOSFET的主要参数4.1 MOS场效应三极管5华中科技大学 张林ch044.1.1 N沟道增强型MOSFET P 型衬底 N+ N+ 绝缘体 二氧化硅绝缘层 (SiO2) 铝电极 (Al) 沟道 L W tox L:沟道长度 W:沟道宽度 tox:绝缘层厚度 栅极 g 源极 s 漏极 d 通常 W > L 1.结构及电路符号